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博士生招生导师

材料学专业导师刘宝丹

时间:2019-07-11 09:30 来源:中科院金属研究所研究生部 作者:admin 点击:

姓名:刘宝丹

性别:男

职称:研究员

导师类型:博士生导师

Emailbaodanliu@imr.ac.cn

专业:材料学

研究方向一:半导体光电功能纳米材料及光电器件

研究方向二:半导体光催化/光电催化/电催化

研究方向三:金属氧化物纳米催化剂材料及其工业应用

个人简历:

刘宝丹,工学博士、中国科学院金属研究所及沈阳材料科学国家研究中心研究员。2006年毕业于日本筑波大学,师从国际材料及电镜专家Bando Yoshio教授,长期从事半导体薄膜与纳米材料研究。目前担任中国材料研究学会纳米材料与器件分会首届理事及中国金属学会功能材料分会理事,科技部项目评审专家、国家自然科学基金评审专家、国家留学基金及沈阳市科技局项目评审专家;Adv. Mater, APL, JPCB, Nanotechnology、金属学报等杂志审稿人及Scientific Reports光子-电子与器件物理方向编辑。曾先后在日本筑波大学,日本国立材料研究所,日本古河机械金属株式会社,德国锡根大学和大连理工大学开展功能薄膜与纳米材料研究工作,在GaN单晶薄膜和纳米材料缺陷控制、多组元半导体纳米材料的结构设计和光电性能调控、半导体光催化/光电催化以及金属氧化物纳米催化剂材料的原位生长及CO高效转化方面做出了许多有影响力工作。在Nano Letters, Adv. Mater, Adv. Funct. Mater, Nanoscale, Small, APL, JPCC等杂志发表SCI论文100篇,论文共被他引3000余次以上。申请及授权中国专利24项,日本发明专利4项,受邀参加国内外会议40余次,先后主持国家自然科学基金、科技部国际合作交流项目及省部级各类科研项目近30项。入选沈阳市拔尖人才,获得了2005年度国家优秀留学生奖学金;2次获得亚太电子显微镜协会青年科学家奖及美国电子工程师协会(IEEE)青年科学家奖,中科院金属所“优秀学者”及中科院沈阳分院第三届青年科技人才等荣誉称号。 

代表性论文:

{C}[1] {C}{C}Baodan Liu*, Wenjin Yang, Jing Li, Xinglai Zhang, Pingjuan Niu, Xin Jiang, “Template approach to two-dimensional GaN crystalline nanosheetsNano Letters, 2017, 17, 31953201 IF=12.08

{C}[2] {C}{C}Baodan Liu,* Bing Yang, Fang Yuan, Qingyun Liu, Dan Shi, Chunhai Jiang, Jinsong Zhang,­ Thorsten Staedler, Xin Jiang “Defect-induced nucleation and epitaxy: a new strategy towards the rational synthesis of WZ-GaN/3C-SiC core-shell heterostructures” Nano Letter, 2015, 15, 78377846 IF=12.08

{C}[3] {C}{C}{C}B. D. Liu*, Y. Bando, L. Z. Liu, J. J. Zhao, M. Masanori, X. Jiang and D. Golberg,Solid-solution semiconductor nanowires in pseudobinary systemNano. Letters. 2013, 13, 85-90. IF= IF=12.08

{C}[4] {C}{C}Baodan Liu, * Jing Li, Wenjin Yang, Xinglai Zhang, Xin jiang and Yoshio Bando, “Semiconductor solid-solution nanostructures: synthesis, property tailoring and applicationsSmall (invited review), 2017, 1701998-1-21. IF=9.598

{C}[5] {C}{C}{C}Wenjin Yang, Baodan Liu*, Bing Yang, Jianyu Wang, Takashi Sekiguchi, Staedler Thorsten and Xin Jiang, “Pseudobinary solid-solution: An alternative way for the band-gap engineering of semiconductor nanowires in the case of GaP-ZnSe” Adv. Funct. Mater. 2015, 25, 2543-2551. IF=13.325

{C}[6] {C}{C}{C}Xinglai Zhang, Baodan Liu, * Wenjin Yang, Wenbo Jia, Jing Li, Chunhai Jiang, Xin Jiang, “3D-branched 3C-SiC/ZnO heterostructures for high-performance photodetectors” Nanoscale, 2016, 8, 17573–17580 IF=7.233

{C}[7] {C}{C}Yang, W.; Li, J.; Liu, B. D*.; Zhang, X.; Zhang, C.; Niu, P.; Jiang, X., Multi-wavelength tailoring of a ZnGa2O4 nanosheet phosphor via defect engineering. Nanoscale 2018, 10, 19039-19045. IF=7.233

{C}[8] {C}{C}Jing Li, Baodan Liu, * Wenjin Yang, Yujin Cho,­ Bing Yang, Xinglai Zhang, Benjamin Dierre,­ Takashi Sekiguchi, Aimin Wu, Xin Jiang “Solubility and crystallographic facet tailoring of (GaN)1-x(ZnO)x pseudobinary solid-solution nanostructures as promising photocatalysts” Nanoscale, 2016 (8)  3694-3703. IF=7.233

{C}[9] {C}{C}{C}Xinglai Zhang, Baodan Liu*, Qingyun Liu, Wenjin Yang, Changmin Xiong, Jing Li, Xin Jiang, “Ultrasensitive and highly selective photodetections of UV-A rays based on individual bicrystalline GaN nanowire ACS. Appl. Mater. Inter 2017, 9, 26692677 IF=8.097

{C}[10]      {C}{C}Baodan Liu*, Fang, Yuan, Benjamin Dierre, Takashi Sekiguchi, Song Zhang, Yongkuan Xu and Xin Jiang, “origin of yellow band emission in epitaxially grown GaN nanowire arraysACS. Appl. Mater. Inter. 2014, 6, 14159-14166. IF=8.097 

招生需求

团队主要开展半导体材料生长设计、光电性能、光电器件、光电催化等相关研究,欢迎电子科学、材料、物理及化学专业考生积极报考。